Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries14nm。
来看看几个工艺的间距数据：
Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。
相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。
这些间距越小，就可以把晶体管做得更小、更密，对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻
Intel近几代工艺进化史
Intel 14nm工艺的过人之处
Intel曾经自己高调宣扬过，整个世界也都承认，无与伦比的先进制造工艺是这家芯片巨头永远令人眼红的优势。14nm工艺虽然从年初拖到了年底，但到时候仍然是这个地球上最先进的。其他半导体企业纷纷减缓脚步或者合纵连横的同时，Intel仍在坚持独行，仍在引领世界。
随着Broadwell-Y Core M系列初步揭开面纱，Intel也公布了14nm工艺的大量相关资料，介绍了它的发展情况和技术优势。
简单地说：
1、Intel 14nm工艺已经通过各项验证，并在美国俄勒冈、亚利桑那工厂投入了量产，明年还会加入爱尔兰工厂。
2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立体晶体管技术，拥有业界领先的晶体管性能、功耗、密度和成本。
3、Broadwell家族将首先采用14nm工艺制造，其后陆续扩展到Intel各条处理器产品线。
4、Intel 14nm不但自己用，还会为很多客户代工大量产品，从高性能到低功耗均可(已拿下Altera、松下)。
事实上，14nm也是迄今为止Intel面临的最艰难的挑战，Intel对此也是很坦诚，并没有遮遮掩掩。根据官方数据，14nm工艺良品率初期低得要命，直到今年第二季度末才达到量产标准，预计2015年第一季度才能追上22nm的水平，后者迄今仍是Intel良品率最高的工艺。
也只有到了2015年上半年，14nm的良品率、产能两个关键指标才能都满足多条产品线的需求。这也正是Broadwell为什么首发只有一个超低压版的Core M系列，更多产品明年才会发布的根本原因。
下边继续跟随Intel的幻灯片，一起看看14nm工艺的神气，尤其是和现有的22nm好好对比对比。
22nm上率先引入了Tri-Gate三栅极立体晶体管技术，堪称半导体历史上的一次革命。虽然带来了晶体管密度等方面的一些问题，导致核心面积过小、发热密度升高，但仍然是大势所趋，其他厂商纷纷引入，不过在名字上都叫做FinFET，异曲同工。
晶体管鳍片是最能反应该技术进步的地方。鳍片高度从34nm增至42nm(进步比例24％)，更高更薄可以改善驱动电流、性能；间距从60nm缩小到42nm(进步比例30％)，可以提高集成密度；整体所需鳍片数量减少，可以改进集成密度、降低电容。
另外，晶体管栅极间距、互联间距也分别缩小到了70nm、52nm，进步比例为22％、35％。
鳍片外围覆盖着的(黄色)就是金属栅极。
层连最小间距也从80nm来到了52nm(进步比例35％)。
SRAM存储单元的面积，上代是0.108平方微米，现在仅为0.0588平方微米，进步比例达46％，几乎缩小了一半。